SiGe HBT及びBiCMOS技術
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概要
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アナログ応用の観点から,CMOSに比べて低消費電力性,耐圧性,低雑音性に優れ,GaAsに代表される化合物半導体に対して集積性で優位性を持っているSiGeデバイスに関して,これまで多くの研究開発,製品開発が行われている.本稿では,SiGe HBTとBiCMOSのプロセスデバイス技術,アプリケーション技術と,今後の展望について紹介する.
- 2009-04-01
著者
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川中 雅史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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齋藤 由理恵
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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宮崎 紳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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松岡 昭夫
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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川中 雅史
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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