恩田 和彦 | NEC関西エレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 健一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 大畑 恵一

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 大畑 恵一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 牧野 洋一

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 大畑 恵一

  Nec 光・無線デバイス研

• 冨士原 明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

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著作論文

• ミリ波帯用0.14μmY型ゲートAlGaAs/InGaAs HJFET
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極

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