及川 洋一 | Nec Ulsiデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 浅井 周二

  日本電気(株)

• 河野 通久

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 浅井 周二

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 沼田 圭市

  NEC

• 山口 佳子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 富田 正俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気

• 根岸 均

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 梨本 泰信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 信秀

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 厚母 敬生

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NEC伝送共通技術本部

• 前多 正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 吉田 信秀

  NEC光・無線デバイス研究所

• 吉田 信秀

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 栗栖 正和

  日本電気株式会社

• 及川 洋一

  ULSIデバイス開発研究所

• 浅井 周二

  日本電気株式会社

• 河野 通久

  日本電気株式会社

• 及川 洋一

  日本電気株式会社

• 金子 信

  日本電気株式会社

• 加藤 浩之

  日本電気アイシーマイコンシステム(株)

• 吉田 卓克

  日本電気株式会社

• 武田 敏行

  日本電気株式会社

• 金子 信

  Nec C&c Lsi開発本部

• 栗栖 正和

  Nec C&c Lsi開発本部

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著作論文

• C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
• X帯MMIC用単一正電源動作FET
• GaAsLSI用HJFETのVt高制御化
• 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• 3.4Vデジタル携帯電話用の超小型高出力ヘテロ接合FET
• ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• ゲート幅7mmの3.4V動作PDC用高出力ヘテロ接合FET
• 低消費電力LSI用PM-HJFETの試作検討

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