GaAsLSI用HJFETのVt高制御化
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概要
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近年の情報伝送容量の増大に対応し、速度/消費電力性の優れたGaAsLSIの製作歩留りを向上させるため、ゲートしきい電圧Vtの高制御化を図った。今回、±100mV以下のVt制御性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
浅井 周二
日本電気(株)
-
浅井 周二
NEC ULSIデバイス開発本部
-
河野 通久
NEC ULSIデバイス開発本部
-
筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
-
及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
河野 通久
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
筒井 宏彰
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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