PDC用単一電源 GaAs ドライバーアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信では、端末器の小型化のために、負電源を必要としないGaAs系デバイスの開発が盛んに行われている。今回デバイスの単一電源動作及び小型化を目的に、しきい値電圧(Vth)の浅い擬似エンハンスメント動作のヘテロ接合FET(HJFET)を開発し、そのFETを用いて2段アンプICを設計, 試作した。その結果, 電源電圧 VDD=3.OV、周波数 f=950MHz において利得Gp=28dB, 隣接チャネル漏洩電力Padj < -67dBc (@Po=10dBm)、1dB抑圧電力P-1=13dBm、総合電流IDD=23mAと良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
河野 通久
NEC ULSIデバイス開発本部
-
及川 隆一
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
上村 和義
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
河野 通久
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
吉田 貞義
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
若林 良昌
NEC ULSIデバイス開発研究所
関連論文
- GByte/sクラス skewless並列光インターコネクション (2)
- C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
- X帯MMIC用単一正電源動作FET
- GaAsLSI用HJFETのVt高制御化
- 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- 低消費電力LSI用PM-HJFETの試作検討
- GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響
- MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
- スパイラルインダクタ特性の配線膜厚依存性検討
- 1.9GHz帯低歪みGaAsパワーアンプIC
- 単一電源HJFET MMIC
- 単一電源HJFET MMIC
- 単一電源HJFET MMIC
- PDC用単一電源GaAs 1WパワーアンプIC
- PDC用単一電源 GaAs ドライバーアンプ
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- ファイル応用1GbDRAM
- 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
- 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
- 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET
- C-10-4 効率70%L帯PA MMIC
- C-10-1 高効率動作エンハンスメント型 HJFET
- 1GビットDRAMセル技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)