1.9GHz帯低歪みGaAsパワーアンプIC
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概要
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将来の移動体通信では回線数の増加に伴い、低歪み・低消費電力を兼ね備えたパワーアンプが必要になると予想される。この要求に答えるため、著者らは低電流バイアス点で動作する1.9GHz帯のGaAs2段パワーアンプICを設計・試作した。その結果、3.0V動作時、RF出力21.5dBm、動作電流160mAにて600kHz隣接チャネル漏洩歪み-64.0dBcと良好な値を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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