単一電源HJFET MMIC

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概要

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• GaAsMMICの単一電源動作化菓のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波数950MHz、π/4QPSK信号入力、出力30.5dBm時に電力付加効率53.1%、隣接チャネル漏洩電力-48dBcの良好な性能を得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-06-18

著者

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 上村 和義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河野 通久

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 吉田 貞義

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 若林 良昌

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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