1GビットDRAMセル技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本電気の論文

著者

• 及川 隆一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

関連論文

• C-10-6 正電源動作低雑音HJFETの低ソース抵抗化
• X帯MMIC用単一正電源動作FET
• MMICに於けるインダクタ素子の隣接効果
• 1.9GHz帯低歪みGaAsパワーアンプIC
• 単一電源HJFET MMIC
• 単一電源HJFET MMIC
• 単一電源HJFET MMIC
• PDC用単一電源GaAs 1WパワーアンプIC
• PDC用単一電源 GaAs ドライバーアンプ
• 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
• ファイル応用1GbDRAM
• 1GビットDRAMセル技術 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク