ソース電極バイアホールを有する0.18μmAu/WSiゲートHJFETによるミリ波帯MMIC技術
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概要
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近年、車載レーダや近距離通信システムにミリ波帯 MMIC が注目されている。我々は、高信頼性ゲートとして実績のある WSi をゲート電極として用いた AlGaAs/InGaAs HJFET による MMIC 開発を進めでいる。今回、マルチフィンガーFETの性能向上を目的として、ソース電極にバイアホールを設けたゲート長0.18μm のデバイスにて良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
-
佐倉 直喜
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
溝江 准
日本電気株式会社 モバイルワイヤレス事業部
-
宇野沢 浩精
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
高橋 潔
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐倉 直喜
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
溝江 准
NEC C&C LSI開発本部
-
永井 慶次
NEC C&C LSI開発本部
-
筒井 宏彰
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
永井 慶次
Nec C&c Lsi開発本部
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