0.25μm WSi AlGaAs/InGaAs HJFETを有するミリ波帯MMIC技術
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概要
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最近、パーソナルコミュニケーションや遠隔操作システム用などにミリ波帯MMICが注目されている。HJFETを用いたMMICについては多くの報告があるが、それらはAlやTiをゲート電極材料として用いている。今回我々は、高信頼性ゲートとして既に実績のあるWSiをゲート電極として用いたAlGaAs/InGaAs HJFETによるMMICを作製し、良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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溝江 准
日本電気株式会社 モバイルワイヤレス事業部
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横井 正幸
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松村 隆男
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中村 純一
NEC ULSIデバイス開発研究所
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溝江 准
NEC システムLSI推進開発本部
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松村 隆男
日本電気(株)カーエレクトロニクス事業部
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