0.18μm WSi AlGaAs/InGaAs HJFETによるミリ波帯MMIC技術
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概要
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近年、パーソナルコミュニケーションや車両衝突防止システム用などにミリ波帯MMICが注目されている。我々は、高信頼性ゲートとして既に実績のあるWSiをゲート電極として用いたAlGaAs/InGaAs HJFETによるMMICの開発を進めており、既報告の0.25μmゲートのMMICを更に短ゲート化した0.18μmゲートにて良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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溝江 准
日本電気株式会社 モバイルワイヤレス事業部
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宇野沢 浩精
NEC ULSIデバイス開発研究所
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横井 正幸
NEC ULSIデバイス開発研究所
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松村 隆男
NEC ULSIデバイス開発研究所
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溝江 准
NECシステムLSI推進開発本部
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松村 隆男
日本電気(株)カーエレクトロニクス事業部
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