Hau Gary | NEC化合部デバイス事業部
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概要
関連著者
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岩田 直高
NEC化合物デバイス事業部
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Hau Gary
NEC関西エレクトロニクス研究所
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岩田 直高
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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西村 武史
NEC化合部デバイス事業部
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Hau Gary
NEC化合部デバイス事業部
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岩田 直高
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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Gary HAU
NEC関西エレクトロニクス研究所
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Gary Hau
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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西村 武史
Nec化合物デバイス事業部
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Hau Gary
Nec化合物デバイス事業部
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尾藤 康則
NEC化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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尾藤 康則
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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播磨 史生
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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高橋 英匡
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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富田 正俊
NEC化合部デバイス事業部
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田能村 昌宏
NEC化合部デバイス事業部
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三好 陽介
NEC化合部デバイス事業部
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播磨 史生
NEC化合部デバイス事業部
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東 晃司
NEC化合部デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
NEC化合部デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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高橋 英匡
NEC化合物デバイス事業部
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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東 晃司
Nec化合物デバイス事業部
著作論文
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- SC-7-2 Linearization of Class AB Amplifiers Based on Predistortion for High Efficiency, Low Distortion Operation