塩崎 修 | 日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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概要
関連著者
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塩崎 修
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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塩崎 修
日電
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藤田 宣行
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
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宮垣 克則
日本電気(株)半導体応用技術本部汎用テバイス技術部
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徳江 達夫
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
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平川 和晤
日電
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佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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小瀬 泰
日電
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栗原 忠正
日電
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塩崎 修
日本電気株式会社第2LSI事業部化合物半導体部GaAs FET技術課
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徳江 達夫
日本電気
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佐本 典彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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伊藤 明弘
日電
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小瀬 泰
日本電気株式会社
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山口 由紀子
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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斎藤 昭
日本電気(株)化合物デバイス事業部化合物半導体部
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伊東 朋弘
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
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恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
池上 智仁
日本電気(株)放送映像事業部
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栗原 忠正
日本電気(株) 放送映像(事)送信開発部
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佐本 典彦
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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藤田 宣行
日電
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斉藤 昭
日電
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徳江 達夫
日電
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佐本 典彦
日電
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平川 和晤
日本電気(株)
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伊東 朋弘
日本電気 マイクロエレクトロニクス研
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池上 智仁
日本電気(株)放送映像(事)送信開発部
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ト部 純一
日電
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卜部 純一
日本電気株式会社第2LSI事業部化合物半導体部GaAs FET技術課
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宮垣 克則
日本電気株式会社.第2LSI事業部.超高周波部.製品技術課勤務
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地上 智仁
日電
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官垣 克則
日電
著作論文
- BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAs FETの開発動向とその応用例 : 無線技術
- 2)BS用マイクロ波デバイスとその応用 : HJ-FETとGaAsFETの開発動向とその応用例(無線技術研究会)
- 7)Ku帯高出力GaAsFETにおける高出力化および高効率化(無線技術研究会(第140回))
- Ku帯高出力GaAsFETにおける高出力化及び高効率化
- 新形UHF300Wトランジスタ電力増幅器
- テレビ送信機用VHF-UHF帯高出力トランジスタの現状と将来の動向
- 3)新形UHF 300 Wトランジスタ電力増幅器(無線技術研究会(第103回))
- 1)テレビ送信機用VHF/UHF帯高出力トランジスタの現状と将来の動向(無線技術研究会(第110回))