微細ゲートHJFETに於けるショットキー特性のモデル
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概要
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サブミクロンゲートHJFETにおけるショットキー特性の擬2次元モデルを提案する. 本モデルは2次元ポテンシャル計算とWKB近似による1次元トンネル電流計算を組み合わせたもので, ゲート端における横方向電界の影響を反映する様, 斜め入射した電子も考慮した. 本モデルを50nmゲート素子に適用した結果, ゲート端におけるゲート電流密度はトンネル電流成分の増加によりゲート中央部よりかなり高い(Vgs=0.27Vにおいて3桁)ことが示された. 計算された順方向ショットキー特性のゲート長依存性は測定と良く一致した.
- 1997-07-14
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