60GHz帯CMOSフェーズドアレイ送信機
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概要
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60GHz帯フェーズドアレイ送信機を標準90nm CMOSプロセス技術を用いて開発し、1x6アレイアンテナへ接続してビームステアリングの実証を行った。送信機は位相同期発振器と6つのRF回路(直交変調器、高利得増幅器、送信増幅器)から構成され、各RF回路は6つの各アンテナへ接続される。直交変調器へ入力されるベースバンド信号の経路を切換えることで、RF信号の位相を90°ステップで制御できる位相制御回路を開発した。各RF回路の性能は、P1dBが0dBm、変換利得が15dB、3dB帯域が600MHzであった。ローカル信号の1MHz離れの位相雑音は-80dBc/Hzであった。送信機をアンテナへ接続した送信モジュールにおいて、放射角が0°から60°までビームステアリング特性を観測した。送信機チップのサイズは5mmx2.5mmであり、消費電力は翻電圧1.0Vで960mWであった。
- 2009-09-18
著者
-
折橋 直行
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
岸本 修也
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
濱田 康宏
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
伊東 正治
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
丸橋 建一
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
丸橋 建一
日本電気株式会社
-
丸橋 建一
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
伊東 正治
日本電気株式会社
-
岸本 修也
日本電気株式会社
-
濱田 康宏
日本電気株式会社
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