GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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MIS構造に用いる絶縁体としてAl_2O_3に着目し、ALDで成膜したAlO_xを絶縁膜としたMISダイオードを作製し、特性評価を行った。酸素プリカーサとして水とオゾンを用い、成膜後400℃,20minの条件でアニール処理を行ったXPS分析から、すべての条件で組成はx=2.0、バンドギャップは6.5〜6.8eVであった。絶縁膜をつけることによりゲートリーク電流は低下した。また、オゾンを用いた場合に水を用いた場合よりも界面準位密度の低下が見られた。
- 2011-11-10
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
久保 俊晴
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
岩田 康宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
岩田 康宏
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
久保 俊晴
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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