GaN上にALD成膜したAl?O?を用いたMISダイオードの電気的特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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- 2012-11-29
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
久保 俊晴
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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