AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlNテンプレート上にMOCVD成長させたAlInN/GaN構造の評価を行い、ショットキー型紫外線受光素子を試作した。AlInNの成長条件を検討した結果、急峻な界面および良好な表面モフォロジーを持つAlInN/GaN構造が得られた。また、サファイア上に成長させたAlInN/GaN構造と比較したところ、AlNテンプレート上のものは優れた構造特性を持っことがわかった。AlNテンプレート上に試作した受光素子は良好な受光感度特性を示し、量子効率としては10%以上が得られた。これは、サファイア基板上のものよりも高効率であった。今後は、AlNテンプレート上へのAlInN/GaN構造の最適化を進めることで更なる高効率化の実現を目指す。
- 2010-11-04
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
酒井 佑輔
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
市川 淳規
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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