分島 彰男 | 名古屋工業大学

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概要

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• 名古屋工業大学の論文著者

関連著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 分島 彰男

  名古屋工業大学

• 分島 彰男

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• Egawa Takashi

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• 分島 彰男

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 成田 知隆

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 成田 知隆

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• Egawa T

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• 常家 卓也

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

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著作論文

• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
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• Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Si基板上のAlGaN/GaN HEMT技術

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