藤井 正浩 | NEC 光・超高周波デバイス研究所
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概要
関連著者
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
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樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
NEC 光・無線デバイス研究所
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樋田 光
Necエレクトロニクス
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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NECデバイスプラットフォーム研究所
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山崎 仁
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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石川 昌興
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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前多 正
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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山崎 仁
Nec 光・超高周波デバイス研
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前多 正
Nec 光・超高周波デバイス研
著作論文
- C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
- W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
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