低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光送信モジュール等の1.5V化を目指して、アクティブMMI(multi-mode-interferometer)による光源の低駆動電圧化を検討している。本稿ではアクティブMMIの適用による1.5μm帯レーザの優れた低駆動電圧性能を示した後、その動特性について初めて報告する。駆動電圧として、わずか1Vで10mW光出力が得られることを確認した。さらに、通常のp/n電流ブロック層で埋め込まれたアクティブMMIレーザにおいて帯域2.6GHzの変調帯域、および1Gbps動作時における良好なアイ開口が得られ、送信光源としての適用可能性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
大矢 昌輝
Nec システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
笠原 健一
立命館大学
-
大矢 昌輝
NECシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
清水 省吾
立命館大学理工学部
-
モハマド ダニアル
立命館大学理工学部
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
笠原 健一
立命館大学大学院理工学研究科
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
清水 省吾
立命館大学大学院理工学研究科
関連論文
- 有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-26 量子カスケードレーザの遠視野像(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ファブリ・ペロー型量子カスケード・レーザの線幅増大係数の測定(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-11 量子カスケードレーザ相対強度雑音のパラメータ依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-4 量子カスケード・レーザの中空ファイバ伝送効率(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]対称マッハツェンダー型全光スイッチによる超高速全光信号処理(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- SC-5-2 対称マッハツェンダー全光スイッチと全光信号処理
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 結晶成長技術
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- SC-3-5 モード同期半導体レーザの超高速光通信技術への展開
- InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-42 アクティブMMIによる低消費電力型高出力励起レーザー
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- 液体介在リフローによるハイブリッド集積 SOAG アレイモジュールの大気中光素子セルフアライン実装
- C-3-36 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(2) : 実装技術
- C-3-35 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(1) : 構造および特性
- C-3-123 モード同期半導体レーザの高精度周波数制御と高速光通信・全光信号処理への応用
- B-10-49 モノリシックモード同期半導体レーザを用いた40GHz SDH周波数光クロック抽出
- C-4-18 周波数チューニングによるモード同期半導体レーザのSDH周波数動作
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 光ゲート用SSC-SOA
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- 光教育
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- 有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- PC-2-3 半導体光増幅器と実装技術
- ペルチェ動作6.1μm量子カスケードレーザの相対雑音強度(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- SC-2-4 DWDM用波長選択光源
- B-10-26 ラマン増幅器中における四光波混合信号強度の波長依存性(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュール
- 高集積光素子作成へのMOVPE(有機金属気相エピタキシ-)技術応用 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
- 半構体光増幅器 (特集 通信用光増幅器の最新動向)
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用波長制御DFB LD
- 狭幅選択MOVPEによる1.3μmスポットサイズ変換器集積LDのテーパ導波路形状の制御
- 回折格子の精密制御EB描画によるWDM用異波長DFB-LDの一括形成
- Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性
- Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性
- MOVPE選択成長を用いた多波長レーザアレイ
- フレア型1.5μm帯アイセーフパルスLDの大出力特性
- C-4-36 ラマン増幅器中におけるFWM信号強度の波長依存性(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 量子カスケード・レーザーの雑音特性 : 分光応用を考慮して
- B-10-17 ラマン増幅によるFWM利得の増減(B-10,光通信システムA(光ファイバ伝送路),一般セッション)