電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
古嶋 裕司
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
阪田 康隆
ULSIデバイス開発研究所
-
奥貫 雄一郎
NECULSIデバイス開発研究所
-
佐々木 善浩
ULSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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