Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性
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概要
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光クロスコネクトやATM-SW等のスイッチング素子への搭載を念願とした半導体光増幅器(SOA)において, 伝送エラーが起き難い光スイッチシステムを構成するには, SOAの利得,飽和出力, 消光比が大きいとともに, SOAの自然放出光に起因する雑音が小さいことが要求される. 今回, 単体SOAの雑音指数(NF)について, 利得飽和領域まで含んだ入力光パワー依存性について理論及び実験的に明らかにした. さらに提案されているTb/s光スイッチシステムにおいてSOAの利得飽和やNFの入力光パワー依存性を考慮して伝送特性に関して検討した結果, 要求のBERに対して十分高いパワーマージンを持つことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
玉貫 岳正
日本電気(株)ネットワーキング研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
-
畠山 大
NEC光・無線デバイス研究所
-
玉貫 岳正
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
玉置 岳正
NEC光・超高周波デバイス研究所
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