1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ(VCSEL)は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源として期待されている。今回、我々はMOVPE成長によるGalnNAs活性層を用い、1.3μmを超える波長域での高品質化を進めた結果、端面発光型LDの特性として、発振波長が1.346μm、1.378μmにおいてそれぞれ0.87 kA/cm^2 及び1.1 kA/cm^2 の低閾値電流密度を得た。また、本活性層を用いて、将来の大容量伝送向けCWDMシステムヘも適用可能な1.34μm帯VCSELの低闇値発振(I_<th>=2.8mA)を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-26
著者
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
-
阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
西 研一
Nec
-
山田 みつき
NECシステムデバイス研究所
-
西 研一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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