GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
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概要
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長波面発光LDに不可欠なGaAs基板上1.3μm発光材料としてGaAsSbを提案、試作し、そのGSMBE成長条件、結晶構造、バンド構造、光学特性を明らかにした。さらに、この発光層をAlAs/GaAs DBRと組み合わせてメササイズ25μm角の長波面発光LDを試作し、波長1.22μm、閾値電流20mA,での室温パルス発振を実現した。Sb組成を更に増やすことで、1.3μmでの発振が可能であり、GaAsSbはGaAs基板上の1.3μm帯VCSELの活性層として有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-24
著者
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
西 研一
Nec
-
菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
山田 みつき
NEC 光・無線デバイス研究所
-
亀井 明夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
阿南 隆由
新情報光インターコネクションNEC研究室
-
徳留 圭一
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
亀井 明夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
西 研一
新情報光インターコネクションNEC研究室
-
菅生 繁男
新情報光インターコネクションNEC研究室
-
管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
徳留 圭一
Nec 光・超高周波デバイス研
-
西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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