阿南 隆由 | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
-
阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
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山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
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菅生 繁男
NEC 光・無線デバイス研究所
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管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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西 研一
Nec
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西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社
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屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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山田 みつき
NEC 光・無線デバイス研究所
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栗原 香
NEC 光・無線デバイス研究所
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阿南 隆由
NEC 光・無線デバイス研究所
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徳留 圭一
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
徳留 圭一
Nec 光・超高周波デバイス研
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芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
芝 和宏
NECシステムデバイス研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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徳留 圭一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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亀井 明夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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阿南 隆由
新情報光インターコネクションNEC研究室
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西 研一
新情報光インターコネクションNEC研究室
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菅生 繁男
新情報光インターコネクションNEC研究室
-
芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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赤川 武志
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 康之
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 康之
旭川医科大学 眼科学講座
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西 研一
Nec光・超高周波デバイス研
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山田 みつき
NECシステムデバイス研究所
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西 研一
NEC 光・無線デバイス研究所
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西 研一
NECシステムデバイス研究所
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山田 みつき
RWCP光インターコネクションNEC研究室
-
阿南 隆由
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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栗原 香
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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西 研一
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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菅生 繁男
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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亀井 明夫
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山田 みつき
NEC光・超高研
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栗原 香
NEC光・無線デバイス研究所
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鈴木 康之
Necシステムプラットフォーム研究所
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阿南 隆由
NEC光・超高周波デバイス研究所
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菅生 繁男
NEC光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-29 Type-IIトンネル接合を用いた1.1μm帯低抵抗VCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-14 高速インターコネクション向け1.1μm帯VCSELの25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-11 850nm帯VCSELによる17Gbps変調動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態