C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
NECシステムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
赤川 武志
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
-
阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
-
辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
-
深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
赤川 武志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
関連論文
- フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス, 光集積回路, 一般)
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-29 Type-IIトンネル接合を用いた1.1μm帯低抵抗VCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-14 高速インターコネクション向け1.1μm帯VCSELの25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-11 850nm帯VCSELによる17Gbps変調動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- C-3-68 MOS型Si光変調器の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
- CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
- 液体介在リフローによるハイブリッド集積 SOAG アレイモジュールの大気中光素子セルフアライン実装
- C-3-36 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(2) : 実装技術
- C-3-35 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(1) : 構造および特性
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド光集積モジュール : 光波ネットワークシステムのための光MCM技術
- 石英系光導波路ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- CI-1-6 パラレル光通信モジュール技術(CI-1.ユビキタスネットワークを支える次世代光コンポーネント・実装技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- Tb/s級光パケットスイッチ試作機
- Tb/s級光パケットスイッチ試作機
- C-3-55 波長モニタ内蔵 波長選択光源モジュール
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- 大規模光スイッチ用小型SOAゲートモジュール
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- C-3-125 フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ
- 高利得・高消光比S字斜め端面型SSC-SOA
- Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性
- Tb/s光スイッチシステム用半導体光増幅器の雑音特性
- C-3-59 低損失多結晶Si光導波路と光変調器への応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-40 側面格子型Si光変調器の等価回路解析(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)