TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
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概要
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低毒性V族原料TBA,TBPを用いて高均一かつ高制御なInGaAsP MQW成長を実現した。ターシャリブチルアルシン(TBA),ターシャリブチルホスフィン(TBP)を用いた成長ではAsH_3,PH_3を用いた成長に比べ、同一成長条件において、ガスの流れ方向のV族組成変化は1/3となり、1.3μm MQWにおいて、2インチ基板全面でσ_<PL>=1.9mmの波長均一性を得た。更に、InGaAs/InP界面において、TBPの方がPH_3に比べて、InP層へのAs混入やAs/Pの置換を抑制し、高制御な界面が得られた。その結果、全MOVPE成長による1.3μmMQW-RIBPBH-LDは、2インチ基板全面で、発振波長偏差4.4nmの高均一性を示した。またDCPBH-LDは、APC5mW@85℃で2600時間、安定動作し、推定寿命(MTF)は10^6hr以上に見積もられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 尚文
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
阿江 敬
NEC光・無線デバイス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
阿江 敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中村 隆宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
寺門 知二
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
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