有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
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概要
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経済的な光加入者システムを構築するために、光モジュールに搭載する半導体レーザ(LD)の低コスト化、耐環境性、無調整化(駆動、実装)が要求される。有機V族ターチャリブチルアルシン(TBA)、ターチャリブチルフォスフィン(TBP)を用いたMOVPEは環境負荷の低減のみならず、InGaAsP組成の高均一高制御性、MQW界面制御性に優れたフルウェハプロセスであり、上記要求に合致した長波長LDを実現し得る。ここではTBA,TBPを用いたInGaAsP系MQW-LDの高均一特性,高温特性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
中村 隆宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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