C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
小林 隆二
NEC光・無線デバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NEC光・無線デバイス研究所
-
厚井 大明
NEC光・無線デバイス研究所
-
大澤 洋一
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC光・無線デバイス研究所
-
中村 隆宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
関連論文
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- TC-3-2 DFBレーザの高歩留まり・高性能化に向けた設計シミュレーション
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- C-4-12 対称10G-EPON ONU用一芯双方向モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-4-4 インナーストライプ型青紫色半導体レーザの高信頼動作(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
- C-3-42 10Gb/s小型光電気集積実装プラットフォーム
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
- 1.3μm帯歪MQWレーザの高温高効率特性
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
- 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
- 半導体レーザの変調2次歪の発生機構
- SCM伝送用広帯域・低歪MQW-DFBレーザ
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
- 有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
- 大容量CATV用部分回折格子レーザ
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ