2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
安食 浩司
NEC関西
-
清水 淳一
NEC Ul開研
-
石坂 政茂
NEC Ul開研
-
藍川 俊治
NEC化合物デバイス(事)
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
関連論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 全選択MOVPE成長半導体レーザ (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- 通信用光デバイスの低消費電力化 (特集 ネットワークの省エネ化を実現する光技術)
- C-3-65 シリコン導波路を利用した光合分波器集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-43 10Gb/s 直接変調 DFB-TOSA の開発
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- C-3-52 波長ロッカー内蔵4波チューナブルLDの高波長安定動作
- C-3-64 シリコン導波路を用いた小型低消費電力波長可変レーザモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- シリコン細線リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- C-4-15 200mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- C-4-10 10GBASE-LRM用直接変調FP-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- アレイPC-LD を用いたマルチLD方式による低雑音サブキャリア多重光伝送の検討
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 光ゲート用SSC-SOA
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- 10Gb/s光通信用バタフライ型EA変調器集積光源モジュール
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- MOVPE選択成長を用いたInP系8×8スターカップラ
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- EA変調器の順方向自己バイアス現象によるチャーピングの増大とその抑制
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- オフセットバイアス・フリーでプッシュプル駆動可能な半導体Mach-Zehnder変調器
- 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
- 吸収変化を伴うMQW Mach-Zehnder変調器におけるチャーピングの解析
- 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
- MOVPE選択成長による偏光無依存型1.3μm帯LDアンプアレイ
- CS-6-4 低消費電力フォトニックノードに向けたシリコン光回路デバイス(CS-6.情報通信分野における省エネルギー光デバイスの現状と将来,シンポジウムセッション)
- C-3-52 10Gb/s用プリアンプ内蔵小型APD光受信モジュール
- B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
- 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- C-3-130 PLCリング共振器による波長可変レーザ(II)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-129 PLCリング共振器による波長可変レーザ(I)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュールのWDM対応 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- SC-3-3 光アクセス系用半導体レーザ
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュ-ルNDL7910P (半導体デバイス特集) -- (コミュニケ-ション関連デバイス)
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
- 大容量CATV用部分回折格子レーザ
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術