狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
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概要
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狭幅選択MOVPEを用いて1.3μm帯AlGaInAs系BH構造EA変調器集積光源を開発し、20-85℃で10Gb/s-23kmのペナルティーフリー伝送を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-28
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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