1.3μm短共振器歪MQWレーザの無バイアス変調動作
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概要
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加入者系光通信においては低コスト化のために、広い温度範囲でAPCフリー・無バイアスによる無調整駆動半導体レーザが望まれている。これを実現するためには、温度に対する光出力変動の低減、低閾値化および温度特性の改善による発振遅延時間の低減、素子の低静電容量化による立ち上がりジッタ量の低減が必要となる。前回我々は、1.3μm短共振器MQWレーザにおいて、85℃無バイアス1Gb/s変調を報告した。今回、歪MQW活性層の導入により低閾値化を図り、また電極面積を減らすことにより低静電容量化を図った結果、-40〜85℃の広い温度範囲において良好な1Gb/s無バイアス変調特性を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊男
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊男
NEC関西エレ研
-
千賀 賢一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊男
Nec 関西エレクトロニクス研
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