全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
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概要
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MOVPE選択成長により直接形成された歪MQW導波路と、セルフアラインマスクを用いることにより、1.3μm帯歪MQW-BHレーザを、半導体層のエッチング工程を用いることなく作製した。その結果、エッチングレスプロセスを反映して、非常に優れた、素子特性の均一性を確認した。さらに、従来の埋め込み型レーザを上回る良好な温度特性を実現した。これにより、光加入者系、光インターコネクションに要求される、温度特性に優れる、低しきい値レーザを、制御性良く高均一に実現できる事を実証した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
村上 智樹
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
森本 卓夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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