1.65μm帯OTDR用半導体レーザ

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概要

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• 1.65μm帯の半導体レーザは、光通信に使用される1.3μm帯や1.55μm帯と波長が異なり光ファイバでのロスも小さいことから、光ファイバ網の常時監視用の光源として注目を集めている。今回、活性層に歪InGaAsP量子井戸を有する1.65μm帯の高出力レーザを試作し良好な結果を得たので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-03-27

著者

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  NEC・ULSIデバイス開発研

• 山根 正宏

  NEC関西

• 安食 浩司

  NEC関西

• 田辺 浩一

  NEC関西

• 吉野 隆

  NEC・化合物デバイス(事)

• 細野 泰宏

  NEC・化合物デバイス(事)

• 村上 智樹

  NEC・ULSIデバイス開発研

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 細野 泰宏

  Nec

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