1.3μm帯 CATV 用 ASM-DFB LD
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概要
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我々は活性層を含む導波路を選択 MOVPE 成長で直接形成する ASM(A__-ll S__-elective M__-OVPE grown)構造の半導体レーザの開発を行っている。これまでにアクセス系用として1.3μm帯 FP LDの優れた特性及び均一性について報告してきた。今回、この ASM構造を DFB LDに初めて適用し歪特性について検討したので報告する。
- 1997-08-13
著者
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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