1.3μm・歪MQW-ASM-RIB-PBHレーザにおける高均一・低しきい値動作
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概要
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光インターコネクション等に求められる、アレイレーザには、高均一 低しきい値動作が要求され、また駆動回路との整合性から、p基板上に形成することが望ましい。今回、歪MQW活性層と電流ブロック構造をエッチングレスで実現できるASM(All Selective-MOVPE grown)-BH LDsをp基板上に作製した。電流ブロック構造には、InGaAsP再結合層が挿入された、RIB(Recombination layer Inserted Block)-PBH構造を採用した。その結果、連続する20素子(L=200μm,70%-90%コート)で、しきい値電流I_<th>=1.78±0.19mAと高均一・低しきい値動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-02-14
著者
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
井元 康雅
Nec Ul開研
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