鈴木 尚文 | 日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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グリーンイノベーション研究所
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
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深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
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阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
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屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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徳留 圭一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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辻 正芳
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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徳留 圭一
日本電気株式会社
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鈴木 尚文
NEC関西エレクトロニクス研究所
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屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NECシステムデバイス研究所
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山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
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阿江 敬
NEC光・無線デバイス研究所
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鶴岡 清貴
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆宏
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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宇田 明弘
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 純一
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
赤川 武志
NECシステムデバイス研究所
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森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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加美 伸治
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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加美 伸治
NECシステムプラットフォーム研究所
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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鈴木 康之
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 康之
旭川医科大学 眼科学講座
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西 研一
Nec
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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森 一男
NEC 光・無線デバイス研究所
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阿江 敬
NEC 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
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山田 みつき
NECシステムデバイス研究所
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三好 一徳
日本電気(株)システムプラットフォーム研究所
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須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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西 研一
NECシステムデバイス研究所
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次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
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畠山 大
NEC 光・無線デバイス研究所
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難波江 宏一
NEC 光・無線デバイス研究所
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鈴木 尚文
NEC 光・無線デバイス研究所
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須藤 信也
NEC 光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NEC 光・無線デバイス研究所
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屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC 光・無線デバイス研究所
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森本 卓夫
NEC 光・無線デバイス研究所
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加美 伸治
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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鈴木 康之
Necシステムプラットフォーム研究所
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三好 一徳
光・超高周波デバイス研究所
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佐々木 純一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC光無線デバイス研究所
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次田 拓実
NEC光無線デバイス研究所
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中村 隆宏
NEC光無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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福島 淳
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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阿江 敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鶴岡 清貴
NEC関西エレクトロニクス研究所
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寺門 知二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宇治 俊
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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室谷 義治
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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福島 淳
Nec
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西 研一
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
加美 伸治
NECクラウドシステム研究所:東京大学先端科学技術研究センター
著作論文
- C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-29 Type-IIトンネル接合を用いた1.1μm帯低抵抗VCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-14 高速インターコネクション向け1.1μm帯VCSELの25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-11 850nm帯VCSELによる17Gbps変調動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ