管生 繁男 | NEC 光・超高周波デバイス研究所
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概要
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NEC 光・無線デバイス研究所
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管生 繁男
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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新技団単一量子点プロジェクト
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筑波大物理
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科学技術振興事業団 単一量子点プロジェクト
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菅生 繁男
NEC光エレクトロニクス研究所
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科学技術振興事業団単一量子点プロジェクト
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プラゲノム(株)
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NEC光エレクトロニクス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
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NEC 光・無線デバイス研究所
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NEC 光・超高周波デバイス研究所
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Nec 光・超高周波デバイス研
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杉本 喜正
静岡大学電子工学研究所
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Erato Jst
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舛本 泰章
ERATO,JST
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科学技術振興事業団 単一量子点プロジェクト
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NEC光・超高周波デバイス研究所
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西 研一
新情報光インターコネクションNEC研究室
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菅生 繁男
新情報光インターコネクションNEC研究室
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St.‐petersburg State Univ. St.‐petersburg Rus
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Ignatiev I
Jst Tsukuba Jpn
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科技団単一量子点プロジェクト
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田中 正規
科学技術振興事業団創造科学技術推進事業単一量子点プロジェクト
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Ren H.-w.
Single Quantum Dot Project Erato Jst
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Kozin I.
Erato単一量子点プロジェクト:サンクト・ペテルスブルグ大
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Kozin I.
Erato Jst:st. Petersburg Univ.
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Ignatiev I.
Erato単一量子点プロジェクト:サンクト・ペテルスブルグ大
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Ignatiev I.
Erato Jst:st. Petersburg Univ.
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松本 貴裕
科学技術振興事業団舛本単一量子点プロジェクト
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Ignatev I.
St.petersburg State University Russia
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杉[サキ] 満
科学技術振興事業団 単一量子点プロジェクト
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桝本 泰章
科学技術振興事業団 単一量子点プロジェクト
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ナイア セルバクマール
科技団単一量子点プロジェクト
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西 研一
Nec光・超高周波デバイス研
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阿南 隆由
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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RWCP光インターコネクションNEC研究室
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西 研一
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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菅生 繁男
RWCP光インターコネクションNEC研究室
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徳永 英司
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新技団単一量子点プロジェクト
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松本 貴裕
新技団単一量子点プロジェクト
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田中 正規
新技団単一量子点プロジェクト
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松浦 直紀
新技団単一量子点プロジェクト
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菅生 繁男
新技団単一量子点プロジェクト
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舛本 泰章
新技団単一量子点プロジェクト
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Davydov V.G.
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阿南 隆由
NEC光・超高周波デバイス研究所
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菅生 繁男
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任 紅文
科技研
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Fedorov A.
筑波大物理:バビロフ光学研
著作論文
- 19pYJ-6 歪み誘起GaAs量子点の発光の偏光特性
- 25pXC-8 歪み誘起GaAs量子点の非線形発光
- 27pYC-13 自己形成型InP量子点における発光の明滅現象
- 27pYC-11 InP Stressorにより量子井戸に形成されるGaAs量子ドット
- InP基板上長波InAs量子ドットレーザ
- 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
- 自己形成量子ドットレーザの利得と発振特性
- 自己形成量子ドットを用いた面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs量子井戸を用いた1.3μm帯面発光レーザ特性
- GaAsSb系長波面発光レーザ
- GaAsSb/GaAs系長波VCSEL
- GaAsSb系長波長半導体レーザ
- InAsP/InAlGaAs系量子井戸のGSMBE成長と評価
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- 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
- 25aN-7 InP量子ドットにおけるキャリアーの緩和ダイナミクス
- 23pN-5 Inp量子ドットにおけるアンチストークス発光
- 25pXD-7 共鳴二次発光を用いた歪誘起InGaAs/GaAs量子点の位相緩和測定
- InP量子点の作製と光学特性
- 7p-J-2 InP量子点の2波長ポンププローブ分光
- 7p-J-1 InP量子点における光学異方性
- 30p-YC-5 InP量子点における共鳴二次発光
- InP基板上長波InAs量子ドットレーザ
- MOVPEにおけるAs/P置換のその場エリプソ信号とその表面状態
- 2p-YH-13 自己形成型量子点における磁場効果
- 29p-ZE-13 Photoluminescence of strain-induced InGaAs/GaAs coupled quantum dot-pairs
- 29p-ZE-12 自己形成型InP量子点における発光の顕微イメージ
- 27p-YN-12 Polarization dependence of rediative decay time in InP quantum dots