菅生 繁男 | NEC光エレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 菅生 繁男

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 西 研一

  Nec

• 斎藤 英彰

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 斎藤 英彰

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 菅生 繁男

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 西 研一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 斎藤 英彰

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 管生 繁男

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 西 研一

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 杉本 喜正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 杉本 喜正

  日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所

• 杉本 喜正

  静岡大学電子工学研究所

• 杉本 喜正

  物材機構・ナノテク融合セ

• 森 一男

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 徳留 圭一

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 徳留 圭一

  NEC光エレクトロニクス研究所

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著作論文

• 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
• 自己形成量子ドットレーザの利得と発振特性
• 自己形成量子ドットを用いた面発光レーザ
• 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
• 29p-E-6 直接接合法による半導体素子の界面
• 直接接合による高品質InP/Si構造とレーザー素子への応用

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