InP基板上のZnCdSeの成長
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概要
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2成長室MBEを用いてInP基板上にInGaAsバッファー層とZnCdSe層とを一貫成長し, 窒素及び塩素のドーピング特性を調べた. ZnCdSe層の2結晶X線回折ピークの半値幅は最小42秒と良好であった. RFプラズマを用いた窒素ドーピングを行い, ZnCdSe:N結晶でp型伝導を初めて確認した. 実効アクセプター濃度は, 最大でNa-Nd=3.5x10^<16>cm^<-3>を得た. ZnCl_2を用いてClドーピングを行い, n型キャリア濃度を3x10^<16>〜7x10^<18>cm^<-3>の範囲で制御出来る事を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-17
著者
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