鶴岡 清貴 | NECナノエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 水谷 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• ニールセン マッス

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 水谷 健二

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 水谷 健二

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 加藤 友章

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 佐藤 峰斗

  NECシステムIPコア研究所

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• ニールセン マッス

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 峰斗

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  NECシステムデバイス研究所

• 佐久間 寿人

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 豪

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石川 信

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 隆二

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 加藤 豪

  NEC化合物デバイス(株)

• 栗原 佑介

  NEC化合物デバイス(株)

• 室谷 義治

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 石川 信

  NEC化合物デバイス(株)

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 水谷 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 峰斗

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 水谷 健二

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• Nielsen M.L.

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 須藤 信也

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 岡本 健志

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 鶴岡 清貴

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 佐藤 健二

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 工藤 耕治

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• ニールセン マッス

  NECシステムデバイス研究所

• 岡本 健志

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社

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著作論文

• C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
• C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)

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