千田 浩明 | NEC光エレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC光エレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 宮崎 孝

  R&dサポートセンター

• 石川 信

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 千田 浩明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深谷 一夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 宮崎 孝

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石川 信

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深谷 一夫

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 千田 浩明

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 荒木田 孝博

  ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部

• 丹生 隆之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 俊太郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 俊太郎

  NECインターネットシステム研究所

• 荒木田 孝博

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 河合 孝博

  NEC光エレクトロニスク研究所

• 山崎 俊太郎

  Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター

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著作論文

• RIBE・クエン酸系選択エッチング併用プロセスを用いて作成したEDFA励起用980 nmレーザ
• 高速データリンク用0.98μm InGaAs/AlGaAsレーザの25-100℃ APCフリー 600Mb/s変調動作
• 100℃-2.5Gb/s高速変調動作の0.98-μm InGaAs/AlGaAsレーザ
• 0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの端面劣化寿命
• その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性

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