RIBE・クエン酸系選択エッチング併用プロセスを用いて作成したEDFA励起用980 nmレーザ
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概要
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EDFA励起用の980 nm帯LDには, 高い最大基本モード出力P_0が求められる。再現性良く高いP_0を得るためには, 優れたメサストライプ作成技術と導波路構造の設計が重要である。今回, 幅制御性に優れたドライエッチングと, 残し厚(T_<SC>)制御性に優れた選択エッチングを併用する新しいプロセスを開発し, 素子の作成に応用した。加えて, P_0の向上に垂直方向の光閉じ込め率Γ_⊥の低減が重要である結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
宮崎 孝
R&dサポートセンター
-
石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
荒木田 孝博
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
-
千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
荒木田 孝博
NEC光エレクトロニクス研究所
-
宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
-
石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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