その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性
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概要
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0.98μm-LDはEr^<3+>ドープフアイバアンプ(EDFA)の高効率・低雑音な励起光源として注目されている。前回我々は、ファイバ出力の向上を目的とし、反応性イオンビームエッチング(RIBE)を用いて、メサストライプを高精度に制御したLDについて報告した。今回は、そのLDの信頼性試験、及びエッチング深さを光学的にその場観察することで、製作の再現性を向上させた0.98μm-LDについて報告する。更に、簡単なビーム整形光学系を用いて、70%の高いファイバ結合効率を得た結果についても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
宮崎 孝
R&dサポートセンター
-
石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
-
千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
-
石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
-
深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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