0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの端面劣化寿命

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概要

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• Er^<3+>ドープファイバアンプ(EDFA)の高効率、低雑音な励起光源として有望な0.98μm帯歪量子井戸レーザには、100mWレベルの高出力で10万時間以上の長期信頼性が必要である。0.98μm帯レーザの信頼性は結晶欠陥に起因した内部劣化に加えて共振器の端面破壊(COD)によっても支配される。しかし、COD劣化は突発的に発生するために、駆動電流の劣化率から予測することは困難である。今回、光出力150mW以上の加速劣化試験を行ない、COD劣化寿命の光出力及び雰囲気温度依存性を求めて、100mW実用動作域における寿命を推定したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-03-27

著者

• 宮崎 孝

  R&dサポートセンター

• 石川 信

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 千田 浩明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深谷 一夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 宮崎 孝

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石川 信

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深谷 一夫

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 河合 孝博

  NEC光エレクトロニスク研究所

• 千田 浩明

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

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