GaInPの秩序構造形成に及ぼすステップバンチングの影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 1999-01-10
著者
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
五明 明子
NEC光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
Nec 光・無線デバイス研
-
堀田 等
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
五明 明子
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
日野 功
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
宮坂 文人
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
深谷 一夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
小林 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- 光通信用半導体光デバイス
- POFデータリンク用可視LED
- C-4-47 85℃, 10Gb/s直接変調用低閾値1.3μm帯AlGaInAs BHレーザ
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- 7-7 可視光半導体レーザを用いたホログラム光ヘッドによるビデオディスク再生
- GaInPの秩序構造形成に及ぼすステップバンチングの影響
- 大口径、広帯域GI型ポリマー光ファイバーの作製と可視半導体レーザーを用いた2.5Gb/s 100m伝送
- 高速POFデータリンク用低閾値650nmAlGaInP半導体レーザ
- DVD用赤色半導体レーザー
- DVD用635nm帯赤色半導体レ-ザダイオ-ド (特集 DVD(ディジタルビデオディスク)とその要素技術)