吉田 貞義 | NEC化合物デバイス事業部

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概要

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• 吉田 貞義

  NEC化合物デバイス事業部

• 東 晃司

  Nec化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  NEC化合物デバイス事業部

• 高橋 秀樹

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 播磨 史生

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 西村 武史

  NEC化合部デバイス事業部

• 田能村 昌宏

  NEC化合部デバイス事業部

• 三好 陽介

  NEC化合部デバイス事業部

• 播磨 史生

  NEC化合部デバイス事業部

• 東 晃司

  NEC化合部デバイス事業部

• 嶋脇 秀徳

  NEC化合部デバイス事業部

• 岩田 直高

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• 川中 雅史

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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• 佐藤 博幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 高橋 秀樹

  NEC光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

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• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 三好 陽介

  Nec化合物デバイス事業部

• 吉田 貞義

  Nec化合物デバイス

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著作論文

• C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
• 携帯電話受信用GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
• 移動体通信,通信 Bluetooth用InGaP HBTパワーアンプMMICの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)

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