館野 泰範 | 富士通カンタムデバイス(株)
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概要
関連著者
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吉川 俊英
(株)富士通研究所
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常信 和清
(株)富士通研究所
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原 直紀
(株)富士通研究所
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横川 茂
富士通カンタムデバイス(株)
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吉川 俊英
富士通
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横山 満徳
富士通カンタムデバイス
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館野 泰範
富士通カンタムデバイス(株)
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常信 和清
富士通株式会社:株式会社富士通研究所
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館野 泰範
ユーディナデバイス株式会社
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横川 茂
富士通カンタムデバイス
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金村 雅仁
(株)富士通研究所
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五十嵐 勉
富士通カンタムデバイス(株)
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富士通カンタムデバイス(株)
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安達 信雄
富士通カンタムデバイス
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ユーディナデバイス株式会社
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富士通カンタムデバイス(株)
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富士通カンタムデバイス株式会社
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岡本 直哉
(株)富士通研究所
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岡本 直哉
富士通
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山口 泰弘
富士通カンタムデバイス
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加藤 真一
富士通カンタムデバイス
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長原 正樹
富士通カンタムデバイス
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木村 徳治
富士通研究所
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木村 徳治
(株)富士通研究所
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加藤 眞一
(株)富士通研究所
著作論文
- Surface-Charge-Controlled構造を用いたAlGaN/GaN Power HEMT(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- 高効率高出力GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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