宮島 豊生 | 株式会社富士通研究所

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概要

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関連著者

• 宮島 豊生

  株式会社富士通研究所

• 宮島 豊生

  株式会社富士通研究所ナノ電子材料研究部

• 金井 均

  富士通株式会社

• 上原 裕二

  富士通株式会社

• 金村 雅仁

  (株)富士通研究所

• 岡本 直哉

  富士通

• 吉川 俊英

  富士通

• 多木 俊裕

  富士通株式会社 電子デバイス事業本部

• 多木 俊裕

  株式会社富士通研究所

• 尾崎 史朗

  株式会社富士通研究所

• 中村 哲一

  株式会社富士通研究所

• 岡本 直哉

  株式会社富士通研究所

• 吉川 俊英

  株式会社富士通研究所

• 金村 雅仁

  株式会社富士通研究所

• 今田 忠紘

  株式会社富士通研究所

• 金井 均

  富士通

• 金井 均

  富士通株式会社 ストレージプロダクト事業本部 コンポーネント事業部

• 宮島 豊生

  (株)富士通研究所ナノ電子材料研究部

• 池田 正二

  東北大学電気通信研究所

• 三宅 裕子

  富士通

• 野間 賢二

  富士通株式会社ヘッド先行開発部

• 三宅 裕子

  富士通株式会社ストレージプロダクト事業本部

• 加藤 雅也

  富士通(株)第一事業部ヘッド先行開発部

• 松岡 正昭

  富士通株式会社 ストレージプロダクト事業本部

• 加藤 雅也

  富士通株式会社 ストレージプロダクト事業本部

• 野間 賢二

  富士通 ヘッド先行開発部

• 松岡 正昭

  富士通 ヘッド先行開発部

• 田中 厚志

  (株)富士通研究所ストレージ研究所

• 清水 豊

  (株)富士通研究所ストレージ研究所

• 田中 厚志

  株式会社富士通研究所磁気ディスク先行研究部

• 清水 豊

  株式会社富士通研究所磁気ディスク先行研究部

• 清水 豊

  富士通(株)

• 古屋 篤史

  富士通アドバンストテクノロジー株式会社

• 須永 和晋

  富士通株式会社

• 古屋 篤史

  富士通

• 田中 厚志

  富士通研究所・磁気ディスク先行研究部

• 田中 厚志

  株式会社富士通研究所　ストレージ研究所

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著作論文

• CuAu-IPdPtMn反強磁性膜の交換結合とスピンバルブ膜特性
• 第一原理計算による超低RA(
• HDD記録ヘッド用高B_s磁性材料
• HDD記録ヘッド用高B_s磁性材料(HDD及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 原子層堆積Al_2O_3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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